インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大場充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049387
公開番号（公開出願番号）：特開平5-247636
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月24日
要約：

【要約】【目的】スパッタリング期間にターゲットが黒化しにくく、安定して低い薄膜抵抗値のITO膜が得られるターゲットおよびその製造方法を提供する。【構成】本発明のターゲットは実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であって、組織中のスズ原子の偏析部の最大径が10μm以下、相対密度が80%以上であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットである。また、本発明の製造方法は平均粒径0.5μm以下の酸化インジウム粉末と平均粒径0.2μm以下の酸化スズを焼結するものであって、好ましくは酸化インジウムと酸化スズの混合物を仮焼し、得られた仮焼体を粉砕混合処理した後、成形し、該成形体を焼結して焼結体ターゲットを得ることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットの製造方法である。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であって、組織中のスズ原子の偏析部の最大径が10μm以下、相対密度が80%以上であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。

引用特許：

審査官引用 (2件)

ITO焼結体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186904 出願人：住友金属鉱山株式会社, 住友石炭鉱業株式会社
特開平4-224162

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