特許
J-GLOBAL ID：200903062306388569
多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166289
公開番号（公開出願番号）：特開平11-011924
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】【課題】 一方向凝固で形成する多結晶半導体インゴットの歪みを軽減し、品質を向上させる。【解決手段】 シリコン半導体材料15は、二重構造のるつぼ1および内側るつぼ2内に装入されて、誘導加熱コイル7によって加熱する発熱体8からの輻射熱で上方から加熱され、融解する。るつぼ1の底部は、冷却槽13からの冷却水で冷却される支持台4に乗載される。内側るつぼ2内で溶融して、底部から凝固が開始される。シリコン半導体材料15は、凝固するときに体積が膨張するけれども、内側るつぼ2とるつぼ1との間には空隙が設けられているので、内側るつぼ2がシリコン半導体材料15とともに外側に拡大すれば、凝固の際の歪みを軽減し、良好な多結晶半導体インゴットを得ることができる。
請求項（抜粋）：
固化時に膨張する半導体材料をるつぼに装入して、上方から加熱し、下方から冷却することによって、るつぼ内で半導体材料に下方から上方に向かう一方向凝固を行わせる多結晶半導体インゴットの製造方法において、半導体材料の固化時の膨張による歪みを緩和可能なるつぼを用いることを特徴とする多結晶半導体インゴットの製造方法。
IPC (8件)：
C01B 33/02
, C01B 33/037
, C30B 11/00
, C30B 21/02
, C30B 28/06
, C30B 29/06
, H01L 21/208
, H01L 31/04
C01B 33/02 E
, C01B 33/037
, C30B 11/00
, C30B 21/02
, C30B 28/06
, C30B 29/06 D
, H01L 21/208 T
, H01L 31/04 H
