半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368423
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170384
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】リフレッシュ動作が必要な半導体記憶装置において、キャッシュメモリを利用せずにリフレッシュ動作を見かけ上隠すこと。【解決手段】半導体記憶装置1の内部でリフレッシュ信号を生成し、そのリフレッシュ信号に基づきリフレッシュ動作をおこなう。また、データの書き込み時にパリティを生成し記憶する。リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出し動作または書き込み動作とが重なった場合、リフレッシュ動作を優先し、読み出すことができないメモリセルのデータをパリティに基づき確定する。また、リフレッシュ動作を優先したためメモリセルに書き込むことができないデータをライトデータバッファ4に一時的に保持する。そして、リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出しまたは書き込み動作とが重ならないときに、対応するメモリセルにライトデータバッファ4の保持データを書き戻す。

請求項（抜粋）：

書き込みデータに基づいてパリティを生成するパリティ生成手段と、データの読み出しまたは書き込みを同時におこなう対象であるブロックを複数有し、それら各ブロックは、書き込みデータを記憶する複数のサブアレー、および前記書き込みデータに基づいて前記パリティ生成手段により生成されたパリティを記憶する1以上のサブアレーを有し、各サブアレーは複数のメモリセルを有するメモリセルアレーと、前記サブアレーごとにリフレッシュ動作をおこなうリフレッシュ手段と、リフレッシュ動作とデータの読み出し動作が同時におこなわれるときに、リフレッシュ動作により別のブロックのサブアレーが活性化されたため読み出すことができないサブアレー内のメモリセルのデータをゼロまたは1と仮定して生成したパリティの値と、読み出し対象のデータが書き込まれたときに記憶された対応するパリティの値とを比較して、前記読み出すことができないメモリセルに記憶されているデータを確定するパリティ・データ比較手段と、を具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 363 K , G11C 11/34 371 C

Fターム (9件)：

5B024AA11 , 5B024AA15 , 5B024BA25 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5B024CA16 , 5B024CA27 , 5B024DA03 , 5B024DA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-132093
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-248819 出願人：富士通株式会社

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