特許
J-GLOBAL ID：200903062334434363
半導体発光素子、半導体発光素子用エピタキシャルウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215281
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040998
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】光反射層を備えた半導体発光素子において、当該光反射層を第一光反射層と第二光反射層とから構成し、従来よりもその光反射帯域を広く備えることによって高輝度な半導体発光素子を提供すること。【解決手段】導電性の半導体基板1と、該半導体基板1の主面上に設けられた光反射層(3、10)と、該光反射層の上に成長されたpn接合を有する活性層5を含む発光部(4、5、6)とを少なくとも具備する半導体発光素子において、前記光反射層が、前記発光部から放射される光の発光スペクトルの中心波長に一致するか、若しくはそれよりも短波長に反射スペクトルの中心波長が設定された第一光反射層3を備え、且つ前記第一光反射層の有する反射スペクトルの中心波長以外の可視波長域において異なる反射スペクトルの中心波長を有する第二光反射層10を備えた構造とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性の半導体基板と、該半導体基板の主面上に設けられた光反射層と、該光反射層の上に成長されたpn接合を有する活性層を含む発光部とを少なくとも具備する半導体発光素子において、
前記光反射層が、前記発光部から放射される光の発光スペクトルの中心波長に一致するか、若しくはそれよりも短波長に反射スペクトルの中心波長が設定された第一光反射層を備え、且つ前記第一光反射層の有する反射スペクトルの中心波長以外の可視波長域において異なる反射スペクトルの中心波長を有する第二光反射層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-098983
出願人：株式会社東芝
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