半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098983
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290026
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】反射層での異波長の発光を低減し、所要波長の光を増加するようにした半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板22上に屈折率の異なるn型In0.5 Ga0.5P層とn型In0.5 Al0.5 P層の2層でなる二重層23を10対積層して形成した反射層24と、この反射層24上にダブルヘテロ接合構造の発光領域を、層厚が1.8μmのn型In0.5 (Ga0.3 Al0.7 )0.5 P層の第1のクラッド層25と、n型In0.5 Ga0.5 P層の活性層26と、p型In0.5 (Ga0.3Al0.7 )0.5 P層の第2のクラッド層27を順に積層して形成することにより、発光領域の活性層26の発する赤色光により励起されて発光する反射層24の光が、活性層26の発する赤色光の波長と同一のものとなり、反射層24での赤外光の発光が低減し素子全体の赤色光が増加し輝度が向上する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、このGaAs基板上に屈折率の異なる2層でなる二重層を交互に所定数だけ積層させて形成された反射層と、この反射層上に第1のクラッド層と第2のクラッド層を活性層の両面側にそれぞれ設けるようにして成層されたダブルヘテロ接合構造の発光領域とを備えた半導体発光素子において、前記発光領域の光により励起されて前記反射層で発光する光の波長が、前記発光領域の光の波長と同一であることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-163882
面発光型光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347302 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-085106 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (8件)

特開平3-163882
面発光型光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347302 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-085106 出願人：株式会社東芝

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