特許
J-GLOBAL ID:200903062336924112

ガラスセラミック多層基板の製造方法およびガラスセラミック多層基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小柴 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-169108
公開番号(公開出願番号):特開2002-368420
出願日: 2001年06月05日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 ガラスセラミック多層基板を平坦でかつ焼成収縮率の低い状態で確実に製造できるようにする。【解決手段】 互いに異なる焼成収縮挙動を示す第1および第2のグリーンシート2および3を積層した生の積層体6を焼成して、ガラスセラミック多層基板1を製造するにあたって、焼成工程における、第1および第2のグリーンシート2および3の収縮開始温度(°C)を、それぞれ、T<SB>Sa</SB>およびT<SB>Sb</SB>とし、第1および第2のグリーンシート2および3の焼結完了時の収縮量の90%の収縮量となる温度(°C)を、それぞれ、T<SB>Fa</SB>およびT<SB>Fb</SB>とし、かつ、昇温速度をX°C/分としたとき、(T<SB>Fa</SB>+3X)<T<SB>Sb</SB>または(T<SB>Fb</SB>+3X)<T<SB>Sa</SB>の関係を満たすようにする。
請求項(抜粋):
第1のガラス粉末および第1のセラミック粉末を固形分とする第1のグリーンシートを作製する、第1の工程と、第2のガラス粉末および第2のセラミック粉末を固形分とし、かつ前記第1のグリーンシートとは異なる焼成収縮挙動を示す第2のグリーンシートを作製する、第2の工程と、前記第1および第2のグリーンシートの少なくとも一方に、導体膜およびビアホール導体の少なくとも一方を形成する、第3の工程と、少なくとも1枚の前記第1のグリーンシートおよび少なくとも1枚の前記第2のグリーンシートを積層することによって、生の積層体を得る、第4の工程と、前記生の積層体を、前記第1および第2のガラス粉末の各々のガラス転移点のいずれか低い方の温度を超えた後、X°C/分(X>1)の昇温速度をもって昇温する昇温過程を経て最高温度に到達させる、焼成プロファイルに従って焼成する、第5の工程とを備え、前記第5の工程における、前記第1および第2のグリーンシートの収縮開始温度(°C)を、それぞれ、T<SB>Sa</SB>およびT<SB>Sb</SB>とし、前記第1および第2のグリーンシートの焼結完了時の収縮量の90%の収縮量となる温度(°C)を、それぞれ、T<SB></SB><SB>Fa</SB>およびT<SB>Fb</SB>としたとき、(T<SB>Fa</SB>+3X)<T<SB>Sb</SB>または(T<SB>Fb</SB>+3X)<T<SB>Sa</SB>の関係を有していることを特徴とする、ガラスセラミック多層基板の製造方法。
FI (3件):
H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T
Fターム (9件):
5E346AA24 ,  5E346AA43 ,  5E346CC18 ,  5E346CC39 ,  5E346DD13 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18
引用特許:
審査官引用 (3件)

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