特許
J-GLOBAL ID：200903062339464384
磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247275
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067628
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 製造時に下電極層および上電極層間の短絡が生じないようにする。【解決手段】 磁気抵抗効果素子2は、下シールド層4の上に下ギャップ層6を介して形成された下電極層8と、下電極層8上の一部の領域に形成された磁気抵抗効果膜10と、下電極層8の上方に形成され少なくとも下面の一部が磁気抵抗効果膜10の上面に接して延在する上電極層12とを有し、そして、上電極層12は第1および第2の上電極層22、24からなり、第2の上電極層24は平面視において全体が下電極層8の形成領域内に延在している。したがって、下電極層8の縁部20が、製造時にフォトレジストが溶解した剥離剤溶液に曝されてラフネスが増大したとしても、下電極層8の縁部20上方には上電極層は存在せず、下電極層と上電極層との間の電気的な短絡は発生しない。
請求項（抜粋）：
下シールド層の上に、直接または下ギャップ層を介して形成された下電極層と、前記下電極層上の一部の領域に形成された磁気抵抗効果膜と、前記下電極層の上方に形成され少なくとも下面の一部が磁気抵抗効果膜の上面に接して延在する上電極層とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記上電極層は、平面視において全体が前記下電極層の形成領域内に延在していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (6件)：
5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BB01
, 5D034BB08
, 5D034BB14
, 5D034DA07
