酸素加熱器及びMOCVD装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-337309
公開番号（公開出願番号）：特開2004-169134
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】本発明は、不純物を含有しない膜の成膜が可能となる酸素加熱器並びにMOCVD装置を提供すること。内部を過剰に昇温させることなく所望の温度に酸素を過熱することが可能となる酸素加熱器並びにMOCVD装置を提供すること。緻密な膜の形成が可能となる酸素加熱器並びにMOCVD装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明の酸素加熱器並びにMOCVD装置は、酸素導入口1と酸素出口口2とを有する本体容器7内に白金(Pt)繊維5を充填していることを特徴とするものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸素導入口と酸素出口口とを有する本体容器内に白金(Pt)繊維、パラジュウム(Pd)繊維乃至金(Au)繊維を充填したことを特徴とする酸素加熱器。

IPC (2件)：

C23C16/44 , H01L21/31

FI (2件)：

C23C16/44 B , H01L21/31 B

Fターム (16件)：

4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030FA17 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030KA22 , 4K030KA25 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 4K030KA47 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC11 , 5F045EE02 , 5F045EE06 , 5F045EE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-157483 出願人：株式会社東芝
化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-063014 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-243779

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