半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256714
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111366
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】共振器端面近傍での温度上昇による端面破壊を避ける。【構成】半導体基板上に設けられた、禁制帯幅の大きな光導波層とそれに挾まれた単一量子井戸又は多重量子井戸構造の活性層において、前記多重量子井戸構造は格子歪を導入した量子井戸層と量子障壁層から形成され、歪量子井戸構造の全体に対して引張歪による応力を残存させる。【効果】劈開により引張歪の応力が解放されると、共振器端面近傍における活性層の禁制帯幅が無歪の場合に近接して大きくなり、従来高出力半導体レーザにおいて問題となっていた表面準位による共振器端面近傍の光吸収を避けることができる。これにより、レーザの最大光出力は共振器端面の温度上昇に起因する端面破壊に制限されずに、従来より3倍以上に向上できた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた、禁制帯幅の大きな光導波層とそれに挾まれた単一量子井戸又は多重量子井戸構造の活性層において、前記多重量子井戸構造は格子歪を導入した量子井戸層と量子障壁層から形成され、歪量子井戸構造の全体に対して引張歪による応力を残存させ、前記量子井戸層の膜厚をL<SB>W</SB>,層数をN<SB>W</SB>,歪量をε<SB>W</SB>(圧縮歪のとき符号+,引張歪のとき符号-)とし、前記量子障壁層の膜厚をL<SB>B</SB>,層数をN<SB>B</SB>,歪量をε<SB>B</SB>(圧縮歪のとき符号+,引張歪のとき符号-)としたときに、L<SB>W</SB>N<SB>W</SB>ε<SB>W</SB>+L<SB>B</SB>N<SB>B</SB>ε<SB>B</SB><0の関係が常に維持されることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-044987
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235451 出願人：日本電気株式会社
特開平2-188984

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