特許

J-GLOBAL ID：200903062355738176

超短波を用いたプラズマCVD法及び該プラズマCVD装置

発明者： 山上 敦士 ,  岡村 信行 ,  高木 智
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051776
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342764
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 円筒状基体の表面上に該円筒状基体の軸方向、及び周方向のいずれの方向に関しても、膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で形成し得るVHF領域の高周波を使用するプラズマCVD法を提供すること。【構成】 カソ-ド電極が、円筒状基体の軸方向に関して電気的に複数に分割されており、該分割されたカソ-ド電極のそれぞれに高周波電力供給手段を介して周波数60MHz〜300MHzの範囲の超短波エネルギ-を供給して反応容器内にプラズマを生起させ堆積膜を形成することを特徴とするVHFプラズマCVD法。

請求項（抜粋）：

減圧下の反応容器内に成膜用の原料ガスを供給し、前記反応容器内に配される回転可能な円筒状基体の周囲に設けられたカソ-ド電極にVHF帯高周波電源で発生させた高周波電力を高周波電力供給手段を介して供給し、前記円筒状基体と前記カソ-ド電極との間にプラズマを発生させて前記円筒状基体表面上に堆積膜を形成するVHFプラズマCVD法であって、前記カソ-ド電極は、前記円筒状基体の軸方向に関して電気的に複数に分割されており、該分割されたカソ-ド電極のそれぞれに前記高周波電力供給手段を介して周波数60MHz〜300MHzの範囲の超短波エネルギ-を供給して前記反応容器内にプラズマを生起させ堆積膜を形成することを特徴とするVHFプラズマCVD法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-148108
  
• プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212776   出願人：科学技術庁無機材質研究所長
• 特開平4-100215
  
• 特開平2-225674