接合障壁ショットキー整流器およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿部正博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-504230
公開番号（公開出願番号）：特表2009-532902
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

接合障壁ショットキー(JBS-)整流器デバイスおよびデバイスの製造方法を記載する。デバイスは、p+-n接合を形成し、且つp型領域間、および任意にその上面で第2のエピタキシャルオーバーグロースn型ドリフト層を自己平坦化する、第1のエピタキシャル成長n型ドリフト層およびp型領域を含む。デバイスは、露出しているかあるいは埋め込まれたp+-nガードリング、再成長あるいは注入接合終端拡張(JIE)領域、あるいは基板までエッチダウンした「深い」メサなどのエッジ終端構造を含むこともある。第2のn型ドリフト領域とのショットキーコンタクトおよびp型領域とのオーミックコンタクトは共に陽極として働く。陰極は、ウェーハの背面上のn型領域とのオーミックコンタクトによって形成することができる。デバイスはモノリシックデジタル、アナログおよびマイクロ波集積回路で使用することができる。

請求項（抜粋）：

第1の伝導型の半導体材料を含む基板層; 前記基板層上の前記第1の伝導型の半導体材料を含む任意のバッファ層、前記基板層上あるいはバッファ層上のドリフト層であって、前記ドリフト層が前記第1の伝導型の半導体材料を含むドリフト層; 前記ドリフト層上の中央部分上の前記第1の伝導型と異なる第2の伝導型の半導体材料の多数の領域を含む中央領域であって、前記第2の伝導型の半導体材料の前記領域が上面と側壁を有する中央領域;および、前記第2の伝導型の半導体材料の前記多数の領域と隣接し、且つ前記第2の伝導型の半導体材料の前記多数の領域の上面にあってもよい、前記ドリフト層上の前記第1の伝導型の半導体材料のエピタキシャルオーバーグロースドリフト領域を含む半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 P , H01L29/48 F

Fターム (6件)：

4M104AA03 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (1件)

ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-124900 出願人：富士電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

MATERIALS SCIENCE FORUM, 2006, V527-529, P1363-1366

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