特許
J-GLOBAL ID：200903062367639459
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074819
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体装置に関し,性能を上げた高電子移動度トランジスタの提供を目的とする。【構成】 化合物半導体基板1と,化合物半導体基板1上にあってヘテロ接合を形成する電子供給層4及び電子走行層31と, 電子供給層4上に形成されたゲート電極6と,電子供給層4上に形成されかつ該ゲート電極6の両側に配置されたソース電極7及びドレイン電極8とを有する化合物半導体装置であって,電子走行層31はIII-V族化合物半導体混晶層からなり,その混晶層の組成はヘテロ接合面に向かってバンドギャップエネルギーが小さくなるようにかつ格子定数が化合物半導体基板1のそれから離れるように変化している化合物半導体装置により構成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板(1) と,該化合物半導体基板(1) 上にあってヘテロ接合を形成する電子供給層(4) 及び電子走行層(31)と,該電子供給層(4) 上に形成されたゲート電極(6) と,該電子供給層(4) 上に形成されかつ該ゲート電極(6) の両側に配置されたソース電極(7) 及びドレイン電極(8) とを有する化合物半導体装置であって,該電子走行層(31)はIII-V族化合物半導体混晶層からなり,該混晶層の組成は該ヘテロ接合面に向かってバンドギャップエネルギーが小さくなるようにかつ格子定数が該化合物半導体基板(1) のそれから離れるように変化していることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
