特許
J-GLOBAL ID：200903062382661223

基板処理装置

発明者：
西原 英夫

西原 英夫 について

, 
野崎 仁秀

野崎 仁秀 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-017129
公開番号（公開出願番号）：特開2005-207997
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】フラッシュランプから閃光を照射して加熱した基板の温度を計測することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、キセノンフラッシュランプを点灯してフラッシュ加熱を行う加熱処理部と、加熱前に半導体ウェハーの向きを一定方向に向けるアライメント部とを備える。アライメント部には反射率測定機構が設けられており、加熱処理部に搬入する前に処理対象半導体ウェハーの表面の反射率を測定しておく。そして、加熱処理部に半導体ウェハーのフラッシュ加熱を行ったときに、ウェハー表面からの熱放射による放射光を採光してその放射強度を測定する。加熱処理前に予め測定した反射率とフラッシュ加熱時に測定した放射強度から半導体ウェハーの瞬間最高温度を算定する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する基板処理装置であって、 基板を収容して加熱処理を行う加熱処理室と、 前記加熱処理室内に収容された基板の表面に閃光を照射するフラッシュランプと、 前記フラッシュランプからの閃光照射が行われる前に処理対象基板の表面の反射率を測定する反射率測定手段と、 前記フラッシュランプから閃光が照射されて加熱された前記処理対象基板の表面からの熱放射の放射強度を測定する放射強度測定手段と、 前記反射率測定手段によって測定された反射率および前記放射強度測定手段によって測定された放射強度から前記処理対象基板の温度を算定する温度算定手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
G01J5/00 ,  G01J5/02 ,  H01L21/26
FI (3件)：
G01J5/00 B ,  G01J5/02 K ,  H01L21/26 T
Fターム (6件)：
2G066AA01 ,  2G066AA15 ,  2G066AB02 ,  2G066AC20 ,  2G066BA34 ,  2G066BA38
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 熱処理装置および熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056840   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
  • 特開昭59-169125号公報
  • 特開昭63-166219号公報

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