特許

J-GLOBAL ID：200903062385901152

自己整合多層配線及びその製造方法

発明者： シェン テン スー ,  ロバート ゲイリー ポラチェック
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329081
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236930
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 自己整合多層配線構造及びその製造方法を提供する。【構成】 多層配線構造は、(1)最上絶縁層(233)を有し、離隔して配された第1の複数の絶縁層(231〜233)を形成する工程、(2)上記絶縁層を介して交互に配置され、間隔をおいて配された第2の複数の導電体(221、222)を形成する工程、(3)上記最上絶縁層(233)を通って延びるように第1のホール(233h)を形成する工程、(4)第1のホール(233h)を用いて、続いて連続する自己整合ホール(222h、232h、221h、231h)を下層の導電体及び絶縁層を通るように、各連続するホールが1つ上のホールと連続、且つ、自己整合するように形成する工程、並びに、(5)上記連続する自己整合ホールを通って延びる貫通導電体を形成する工程によって製造される。

請求項（抜粋）：

最上絶縁層を有し、間隔をおいて配された第1の複数の絶縁層を形成する工程と、間隔をおいて配された第2の複数の導電体を形成し、それらを該絶縁層の下又は間に交互に配置する工程と、該最上絶縁層を通って延びるように第1のホールを形成する工程と、該第1のホールを用いて、連続する自己整合ホールを下層の該導電体及び絶縁層を通るように、各連続するホールが1つ上のホールと連続、且つ、自己整合するように形成する工程と、該連続する自己整合ホールを通って延びる貫通導電体を形成する工程とをを包含する、自己整合多層配線を製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 27/11

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開昭58-042257
  
• 特開平2-271663
  
• 特開平4-291958
  
• 特開平2-134869
  
• 特開昭63-216361
  
• 特開昭59-171140
  
• 特開昭53-097789
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-201468   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭58-191450