特許

J-GLOBAL ID：200903062403475956

非線形超伝導素子

発明者： 水野 紘一 ,  瀬恒 謙太郎 ,  足立 秀明 ,  市川 洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102540
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 A、B両超伝導電極と、抵抗率が温度に対して負の依存性を有するチャネル層で構成した非線形超伝導素子で、負性抵抗特性を有する非線形超伝導素子を提供することを目的とする。【構成】 基板3上に超伝導A電極1を形成し、チャネル層2、超伝導B電極4、表面保護層5をスパッタ法で積層した。次にネガレジスト6を用いA電極1を露出させ、電極間分離層7を形成しリフトオフし、コンタクト電極8を形成した。この非線形超伝導素子は、A電極1の超伝導遷移温度以下の広い温度範囲にわたって、電流電圧特性に強い非線形性を示した。

請求項（抜粋）：

超伝導体よりなるA電極およびB電極と、前記A電極および前記B電極に接し、かつ抵抗率が温度に対して負の依存性を有するチャネル層より構成したことを特徴とする非線形超伝導素子。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 29/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-021677
  
• 特開平2-134881
  
• 特開昭63-148689