特許

J-GLOBAL ID：200903062410270650

発光素子用窒化物半導体及びその製造方法

発明者： 沈 旭強 ,  青柳 克信
出願人/特許権者： 理化学研究所
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049378
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 短波長領域に高強度の発光スペクトルを有する窒化物半導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高温でInフラックスを供給しながらGa原子に対してIn原子が0.1〜0.45%取り込まれる条件でGaN薄膜を成長させることで、GaNにGa原子に対してIn原子を0.1〜0.45%含有させた窒化物半導体を得る。

請求項（抜粋）：

GaNに、Ga原子に対する割合で0.1〜0.45%のIn原子を含有させたことを特徴とする窒化物半導体。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C01B 21/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C01B 21/06 A ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Fターム (38件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045EB08 ,  5F045EG03 ,  5F045HA06 ,  5F103AA05 ,  5F103BB08 ,  5F103BB24 ,  5F103BB47 ,  5F103BB48 ,  5F103BB57 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103PP02 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262169   出願人：昭和電工株式会社
• 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-199778   出願人：日立電線株式会社