特許
J-GLOBAL ID：200903075605735229

窒化物化合物半導体素子

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-262169
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107319
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 発光強度に優れる窒化物化合物半導体素子を得る。【解決手段】 1×1017cm-3以上、4×1020cm-3以下の原子濃度範囲内で層厚方向に濃度分布を有する、或いはインジウム原子濃度分布に対応したドナー若しくアクセプター不純物の濃度分布を有する窒化ガリウム系半導体層を発光層として発光素子を形成する。また、インジウムをドープした窒化ガリウム系層に発光層を接合させる構成をもって発光素子となす。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上にガリウム(Ga)系III 族窒化物化合物半導体からなる活性層と第1の伝導形の第1の窒化物化合物半導体層と第2の伝導形の第2の窒化物化合物半導体層とから構成される接合構造を備えた窒化物化合物半導体素子であって、活性層中に原子濃度が8×1017cm-3以上4×1020cm-3以下で、層厚の一方向に濃度分布を付してインジウム(In)がドーピングされていることを特徴とする窒化物化合物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (7件)
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