特許

J-GLOBAL ID：200903041821956963

プラズマ処理装置

発明者： 石井 信雄 ,  篠原 己拔
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  日本高周波株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275393
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106796
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 処理容器内に電界強度の揃った略同心円状の電界を与えることによりプラズマ処理の面内均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波発生器60にて発生したマイクロ波を導波管62を介して平面アンテナ部材56に導き、これより被処理体をプラズマ処理する処理容器16内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部材に、中心方向に延びるマイクロ波導入口58を形成して同心円上に配置し、前記各マイクロ波導入口に、前記導波管より分岐した分岐導波管68A〜68Dを個別に接続して前記処理容器内に同心円状の電界を形成するように構成する。これにより、処理容器内に略同心円状の電界を生ぜしめ、プラズマ密度の面内均一性を高める。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発生器にて発生したマイクロ波を導波管を介して平面アンテナ部材に導き、これより被処理体をプラズマ処理する処理容器内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部材に、中心方向に延びるマイクロ波導入口を形成して同心円上に配置し、前記各マイクロ波導入口に、前記導波管より分岐した分岐導波管を個別に接続して前記処理容器内に同心円状の電界を形成するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (9件)：

H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L ,  C23C 14/35 F ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318901   出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社
• プラズマ発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-147795   出願人：株式会社日立製作所
• マイクロ波プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312418   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-134926