特許
J-GLOBAL ID:200903062461688838
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
三好 秀和 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-006053
公開番号(公開出願番号):特開平11-204832
出願日: 1998年01月14日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 実現しがたい材料の透明電極を用いなくとも、発生した短波長光を蛍光体で効率よく可視光などに変換して外部に効率よく取り出すこと。【解決手段】 p型GaN層とn型GaN層との間にpn接合部が形成され、p型GaN層の表面を覆っている透明電極に接続されているp側ボンディング電極と、n型GaN層の露出部にあるn側電極との間に電圧を印加することにより、透明電極により広がった電流がp型GaN層からpn接合部に流れ、紫外線が発光する。この紫外線はp型GaN層の表面をストライプ状にエッチングすることにより、前記pn接合部を除去したpn接合除去部内の壁面に露出する前記pn接合部端面から外部に照射される。これにより、p型GaN層及び透明電極を通ることなく、前記紫外線が外部に取り出され、従って、pn接合除去部などに蛍光体層を充填しておけば、前記紫外線はこの蛍光体層により直ちに赤等の可視光に変換されて、この可視光が外部に照射される。
請求項(抜粋):
pn接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体において、前記pn接合の一部が除去されるように前記半導体表面から内部に向かって形成された断面が凹部状のpn接合除去部を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
FI (2件):
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 N
引用特許:
出願人引用 (10件)
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単色LEDを用いた全色画像表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-211299
出願人:モトローラ・インコーポレイテッド
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041613
出願人:京セラ株式会社
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特開平3-129882
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炭化ケイ素発光ダイオード素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-094339
出願人:三洋電機株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-230512
出願人:株式会社東芝
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発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-051567
出願人:日亜化学工業株式会社
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半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-052684
出願人:シャープ株式会社
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特開昭50-105286
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特開昭50-105286
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特公昭51-018788
全件表示
審査官引用 (14件)
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単色LEDを用いた全色画像表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-211299
出願人:モトローラ・インコーポレイテッド
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041613
出願人:京セラ株式会社
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特開平3-129882
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炭化ケイ素発光ダイオード素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-094339
出願人:三洋電機株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-230512
出願人:株式会社東芝
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発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-051567
出願人:日亜化学工業株式会社
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半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-052684
出願人:シャープ株式会社
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特開昭50-105286
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特開昭50-105286
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特公昭51-018788
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特開平3-129882
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特開昭50-105286
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特開昭50-105286
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特公昭51-018788
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