特許
J-GLOBAL ID：200903062478048212
真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
角田 嘉宏
, 高石 ▲さとる▼
, 古川 安航
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180214
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018996
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】イオンプレーティング法など、基板ホルダを電極とする真空成膜時においても基板の温度を高精度に測定することができる真空成膜装置での基板温度測定方法、及び該方法に用いることができる真空成膜装置の提供。【解決手段】成膜時外に、基板ホルダ3の上面に絶縁物5を介して取り付けられた熱電対6と、基板4表面に取り付けられた熱電対12とにより夫々検出される温度の相関関係を取得しておく。成膜時には、基板ホルダ3の上面3bに絶縁物体5を介して取り付けられた熱電対6を用いて温度を検出し、検出した温度と前記相関関係とに基づき、基板4の表面温度を取得する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
内部の空間の真空雰囲気を保持する成膜用の真空チャンバと、該真空チャンバ内に設けられた一方の電極と、前記真空チャンバ内に配置され、成膜材料たるターゲットが保持されるターゲット保持部と、成膜される基板を支持すべく、前記真空チャンバ内にて一方の面を前記ターゲット保持部に対向させて配置され、他方の電極をなす基板ホルダと、前記基板ホルダに対して電気的に絶縁された状態で、前記基板ホルダの他方の面に係る温度を検出する温度計とを備え、
前記一方の電極及び基板ホルダの間に電界が生成されている状態で、前記基板ホルダの前記一方の面に支持された基板に成膜を行うための真空成膜装置での基板温度測定方法であって、
成膜時における基板ホルダの前記他方の面に係る温度を、前記温度計を用いて検出し、
前記基板ホルダの前記一方の面に支持された基板の温度と、前記温度計を用いて検出される基板ホルダの前記他方の面に係る温度との相関関係を、成膜時外に予め取得し、
成膜時に前記温度計を用いて検出した基板ホルダの前記他方の面に係る温度と前記相関関係とに基づき、成膜時における基板の温度を取得することを特徴とする真空成膜装置での基板温度測定方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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気相成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-278043
出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
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特公平7-030446
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被膜の形成方法及び真空成膜装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-268823
出願人：新明和工業株式会社, 株式会社プレステージ
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