特許

J-GLOBAL ID：200903062487351521

光起電力素子及びその製造方法

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144547
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008340
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ZnO/pin層界面での光励起キャリアーの再結合の抑制を目的とする。【構成】 本発明の光起電力素子は、フッ素を含有する酸化亜鉛層の上に積層されたn型非晶質半導体層を有することを特徴とする。また、本発明の光起電力素子の製造方法は、真空容器内に基板を設置し、フッ素を含む酸化亜鉛をターゲットとし、スパッタガスを導入し、RF電力を印加し、プラズマを生起して、基板上にフッ素を含有する酸化亜鉛層を堆積することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

フッ素を含有する酸化亜鉛層の上に積層されたn型非晶質半導体層を有することを特徴とする光起電力素子。

IPC (6件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 31/10

FI (6件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/00 301 N ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-259692   出願人：キヤノン株式会社