特許
J-GLOBAL ID:200903062503995973

形状測定方法および形状測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-290484
公開番号(公開出願番号):特開2009-117691
出願日: 2007年11月08日
公開日(公表日): 2009年05月28日
要約:
【課題】測定の信頼性を向上させ、より高精度な測定を可能とすることにより、生産性の向上を図ることのできる形状測定方法および形状測定装置を提供する。【解決手段】測定座標位置から回折信号の取得が実行され、検出回折信号記憶部42に検出データが収容される(50)。また、ライブラリ記憶部43内から、所定のライブラリの選択が行われる(51)。次に、演算部44において、取得された検出回折信号とライブラリとの第1の波形マッチングを実行する(52)。次に、再度検出回折信号の取得を行い(54)、ライブラリの選択(55)、および第2の波形マッチングが実行される(57)。次に、第1の波形マッチングの結果と、第2の波形マッチングの結果とで差分を算出し、この値がスペック値を満足するか否かの判定を行う(58)。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上に形成された半導体装置の微細パターンの寸法又は3次元形状を測定する形状測定方法において、 前記基板上の所定の測定箇所の前記微細パターンに光を照射し検出された検出回折信号と、仮想回折信号の集まりであるライブラリとの波形マッチングを行い、前記測定箇所の少なくとも1つ以上のパラメータを求める第1の波形マッチング工程と、 前記第1の波形マッチング工程における前記検出回折信号及び前記ライブラリの少なくとも一方を変更して波形マッチングを行い、前記測定箇所の少なくとも1つ以上のパラメータを求める第2の波形マッチング工程と、 前記第1の波形マッチング工程と前記第2の波形マッチング工程とによって求められた少なくとも1つ以上のパラメータ同士を比較し、これらの差が予め設定された許容値の範囲内か否かを判定する判定工程と、 を具備したことを特徴とする形状測定方法。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G01B 11/24
FI (2件):
H01L21/66 J ,  G01B11/24 D
Fターム (16件):
2F065AA04 ,  2F065AA23 ,  2F065AA53 ,  2F065BB02 ,  2F065FF48 ,  2F065QQ08 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR06 ,  4M106AA01 ,  4M106CA39 ,  4M106DB02 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21
引用特許:
出願人引用 (1件)

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