特許
J-GLOBAL ID：200903062515267914
化合物半導体素子の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-422317
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183668
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】窒化物系化合物半導体を均一に制御性良くドーピングして、その導電性をp型もしくはn型化する、化合物半導体素子の作製方法を提供すること。【解決手段】GaN、AlN、InN、またはこれらの混合物であるAlGaN、InGaNなどの窒化物系化合物半導体に、p型もしくはn型の導電性を持たせる手段としてイオンビームを用いてドーピングし、その後、熱処理を施して不純物を活性化させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子の材料が窒化物系化合物半導体であり、これらにp型もしくはn型の導電性を持たせる手段としてイオンビームを用いてドーピングすることを特徴とする化合物半導体素子の作製方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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