特許

J-GLOBAL ID：200903062545882583

液処理方法及び液処理装置

発明者： 天井 勝 ,  大野 宏樹
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118897
公開番号（公開出願番号）：特開2000-308857
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 処理液の組成変化を防止すると共に、温度を所定温度に維持して洗浄等の処理性能の向上を図れるようにすること。【解決手段】 密閉された処理槽21内に収容された半導体ウエハWに対して洗浄液Lをスプレー状に供給した後、半導体ウエハWに洗浄液Lをスプレー状に供給すると同時に、半導体ウエハWを洗浄液Lに浸漬してスプレー・浸漬洗浄を行う。その後、半導体ウエハWを洗浄液Lに所定時間浸漬して浸漬洗浄を行った後、浸漬に供した洗浄液Lを排出すると同時に、半導体ウエハWに対して洗浄液Lをスプレー状に供給してスプレー洗浄を行い、その後、半導体ウエハWに対して洗浄液Lをスプレー状に供給してスプレー洗浄(仕上げ洗浄)を行う。

請求項（抜粋）：

密閉された処理槽内に収容された被処理体に対して処理液をスプレー状に供給するスプレー処理工程と、上記被処理体を処理液に浸漬する浸漬処理工程とを有し、上記スプレー処理工程と浸漬処理工程をそれぞれ独立して行う工程と、同時に行う工程を、有することを特徴とする液処理方法。

IPC (4件)：

B08B 3/02 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

B08B 3/02 A ,  B08B 3/12 D ,  H01L 21/304 642 F ,  H01L 21/304 642 E

Fターム (19件)：

3B201AA03 ,  3B201AB24 ,  3B201AB44 ,  3B201BB04 ,  3B201BB23 ,  3B201BB33 ,  3B201BB85 ,  3B201BB93 ,  3B201BB95 ,  3B201BB96 ,  3B201CB12 ,  3B201CB21 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  3B201CD22 ,  3B201CD33 ,  3B201CD36 ,  3B201CD42 ,  3B201CD43

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 自動洗浄乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308217   出願人：株式会社カイジョー
• 特公昭58-055661
  
• 特開平4-336430
  
• 特公昭58-055661
  
• 特開平4-336430