特許
J-GLOBAL ID：200903062547520085
縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311268
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153609
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタが、インダクタンスを持った負荷からの逆電圧によるブレークダウンが生じ、寄生トランジスタがオンした際の過大な電流が流れることを抑制する。【解決手段】ベース領域3の底面に接するように埋込酸化シリコン膜12を設ける。これにより、誘導性負荷による寄生トランジスタの電流をhFEの低い領域に流れるようにすることが出来、過大な電流が流れるのを防ぎ破壊耐量が向上する。
請求項（抜粋）：
高濃度第1導電型半導体層に低濃度第1導電型半導体層を積層した第1導電型の半導体基板でなるドレイン領域と、前記低濃度第1導電型半導体層の表面部に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面部に形成された第1導電型のソース領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間のベース領域の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、前記ベース領域の底面に接して埋込絶縁膜が設けられていることを特徴とする縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 C
, H01L 27/04 H
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 658 Z
