多段リソグラフィックテンプレート

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-513847
公開番号（公開出願番号）：特表2005-530338
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

本発明は、半導体デバイスと、マイクロ電子デバイスと、マイクロ電子機械デバイスと、マイクロ液体デバイスと、光子デバイスとに関し、より詳しくは、多段リソグラフィックテンプレートと、多段リソグラフィックテンプレートを形成する方法と、多段リソグラフィックテンプレートを用いてデバイスを形成する方法とに関する。第1レリーフ構造と第2レリーフ構造を有し、そのことによって多段レリーフイメージを規定する多段リソグラフィックテンプレート(10/10’)が形成される。このテンプレートは半導体デバイス(40)の製造において使用され、放射線感知材料がその上に形成された半導体デバイス(40)にテンプレートを接触させ、圧力を加えて放射線感知材料をテンプレート上にある多段レリーフイメージに流入させることによって、デバイス(40)内のパターンに変化を生じさせる。それから放射線を多段テンプレートを通して加えて、放射線感知材料の部分を更に硬化させると共に、更に放射線感知材料内にパターンを規定する。それから多段テンプレートを除去して、半導体デバイス(40)の製造を完了する。

請求項（抜粋）：

多段リソグラフィックテンプレートの製造方法であって、表面を有する第1レリーフ構造を形成するステップと、前記第1レリーフ構造の表面上に、表面を有する第2レリーフ構造を形成することによって多段リソグラフィックテンプレートを規定するステップとを備える方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 , B81C5/00 , G03F7/11

FI (3件)：

H01L21/30 502D , B81C5/00 , G03F7/11 503

Fターム (13件)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025DA18 , 2H025DA29 , 2H025FA39 , 2H025FA41 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

ミクロンおよびサブミクロン構造を有する半導体および他のマイクロ装置およびナノ装置の製造中の光学-機械式構造作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-366804 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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