ミクロンおよびサブミクロン構造を有する半導体および他のマイクロ装置およびナノ装置の製造中の光学-機械式構造作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤政喜 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366804
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249444
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】作製中の半導体装置または他のマイクロ装置またはナノ装置のポリマー層内に、ミクロンおよびサブミクロン寸法の構造を作製する方法およびシステムを提供する。【解決手段】ミクロンおよびサブミクロン素子および構成要素を有するように構成された装置のポリマー層(402、502)内に構造を作製する方法において、光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)を配設する段階と、前記光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)からのパターンを前記ポリマー層(402、502)上に機械的に転写して、前記ポリマー層内に狭小構造を形成する段階と、放射線を光学-機械式パターン型押しマスクに透過させて、ポリマーの領域(411、520)に放射線を選択的に照射して、ポリマーの露光領域およびポリマーの非露光領域に化学安定度の差を生じる段階と、化学除去方法の影響を受けやすいポリマーの領域(411、520)を除去する段階と、を備える。

請求項（抜粋）：

ミクロンおよびサブミクロン素子および構成要素を有するように構成された装置のポリマー層(402、502)内に構造を作製する方法において、光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)を配設する段階と、前記光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)からのパターンを前記ポリマー層(402、502)上に機械的に転写して、前記ポリマー層内に狭小構造を形成する段階と、放射線を光学-機械式パターン型押しマスクに透過させて、ポリマーの領域(411、520)に放射線を選択的に照射して、ポリマーの露光領域およびポリマーの非露光領域に化学安定度の差を生じる段階と、化学除去方法の影響を受けやすいポリマーの領域(411、520)を除去する段階と、を備えることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/265 604 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6件)：

G03F 1/08 G , G03F 7/20 521 , H01L 21/265 604 M , H01L 21/30 502 D , H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 616 A

Fターム (18件)：

2H095BA01 , 2H095BB28 , 2H095BB29 , 2H095BC04 , 2H095BC24 , 5F046AA28 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110EE02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜パターン製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-270458 出願人：株式会社日立製作所
パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370629 出願人：富士通株式会社
デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-224839 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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