半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094449
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の拡散層上に形成するTiSi2 膜を50nmと薄膜化した場合でも膜の抵抗を十分低くすることができ、かつTiSi2 膜の耐熱性の向上をはかり得る半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】拡散層上にTiシリサイドを形成して低抵抗化をはかった半導体装置の製造方法において、表面にp+ 拡散層14を有し所望パターンに絶縁膜12,134 ,135 が形成されたSi基板11上の全面に、窒素を含まない不活性ガス雰囲気でTiをターゲットとしたスパッタによりTi膜17を形成し、次いでTi膜17上に、窒素を含む不活性ガス雰囲気でTiをターゲットとし、Si基板11がプラズマに晒されないようにしたスパッタにより、TiN膜18を形成し、次いでTi膜17とTiN膜18の積層膜を加熱することによって、Si基板11とTi膜17が直接接する部分にTiSi2 膜19を形成すること。

請求項（抜粋）：

表面に不純物拡散層を有し所望パターンに絶縁膜が形成された半導体基板上の全面に、窒素を含まない不活性ガス雰囲気で遷移金属をターゲットとしたスパッタにより、遷移金属膜を形成する工程と、前記遷移金属膜上に、窒素を含む不活性ガス雰囲気で遷移金属をターゲットとし、前記半導体基板がプラズマに晒されないようにしたスパッタにより、遷移金属の窒化物膜を形成する工程と、前記遷移金属膜と遷移金属の窒化物膜の積層膜を加熱することによって、前記絶縁膜の開口部に露出した基板表面部分に、前記半導体基板の構成元素と遷移金属との化合物膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭64-019763
特開昭62-151561
特開平2-182879

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