特許
J-GLOBAL ID:200903062566685532
研磨剤及び基板の研磨法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-339269
公開番号(公開出願番号):特開2000-160136
出願日: 1998年11月30日
公開日(公表日): 2000年06月13日
要約:
【要約】【課題】酸化絶縁膜等の被研磨面の平坦化を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができ、かつ窒化珪素膜との研磨速度比が大きくシャロー・トレンチ分離にも適用可能な研磨剤を提供する。【解決手段】TEOS-CVD法で作製した酸化珪素絶縁膜を形成させたSiウエハを、陰イオン性界面活性剤を添加したpH及び粘度(mPa・s)が、pHをx座標、粘度をy座標とした(x,y)座標系において、A点(5.5,1.0)、B点(5.5,2.5)、C点(9.0,2.5)、D点(8.5,1.0)の4点で囲まれた領域範囲内にある研磨剤で研磨する。
請求項(抜粋):
酸化セリウム粒子、水、陰イオン性界面活性剤を含む研磨剤であり、そのpH及び粘度(mPa・s)が、pHをx座標、粘度をy座標とした(x,y)座標系において、A点(5.5,1.0)、B点(5.5,2.5)、C点(9.0,2.5)、D点(8.5,1.0)の4点で囲まれた領域範囲内にあることを特徴とする研磨剤。
IPC (4件):
C09K 3/14 550
, C01F 17/00
, C09C 1/68
, H01L 21/304 622
FI (5件):
C09K 3/14 550 C
, C01F 17/00
, C01F 17/00 A
, C09C 1/68
, H01L 21/304 622 D
Fターム (16件):
4G076AA02
, 4G076AA24
, 4G076AB09
, 4G076BA39
, 4G076BA46
, 4G076BC08
, 4G076CA05
, 4G076CA26
, 4G076DA30
, 4J037AA08
, 4J037CC16
, 4J037DD05
, 4J037DD24
, 4J037EE28
, 4J037EE43
, 4J037EE46
引用特許:
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