特許
J-GLOBAL ID：200903062579820811
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-173504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351388
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 バックグラウンド・オペレーション機能を有する不揮発性半導体記憶装置の必要なデータを高速で読出しかつ利便性を改善する。【解決手段】 バンクポインタ(1)において、アドレスバッファ(901)からのアドレス信号(AE,AI)の所定のバンクアドレスの一致/不一致に従って、実行すべき動作モードを指定する信号を生成して内部制御回路(2)へ与える。バンク制御回路(2)は、一致検出信号MTHが活性化されたときには、外部からのコマンドCMDにより指定された動作モードを実行し、不一致検出信号ZMTHが活性化されたときには、外部からのアドレス信号ADが指定するバンクのメモリセルのデータを読み出すアレイリードモードを設定する。
請求項（抜粋）：
複数の動作モードで動作可能な不揮発性半導体記憶装置であって、多ビットアドレス信号の所定のビットに従って、前記複数の動作モードのうちの特定の動作モードを特定する動作モード指示信号を発生するための動作モード指示信号発生回路、および前記動作モード指示信号に従って、指定された動作モードを行なうための制御信号を発生するための動作制御回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (4件)：
5B025AD01
, 5B025AD05
, 5B025AD15
, 5B025AE05
