特許
J-GLOBAL ID：200903085264532540
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307997
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126497
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 内蔵される複数のバンクそれぞれに対して,データのアクセスが可能か否か情報を外部に効率よく出力できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置としてのフラッシュメモリ1は,入出力バッファ3,コマンドデコーダ5,バンク制御回路7,4つのバンクBK0〜BK3,および状態信号出力回路9を備えている。かかる構成によれば,各バンクの状態は,状態信号出力回路によって状態信号ST0〜ST3に変換され,入出力バッファに入力される。入出力バッファは,状態信号をデータD0〜D7に割り付けて外部に出力する。
請求項（抜粋）：
複数のバンクを備えた不揮発性半導体記憶装置において,前記複数のバンクの状態を検出し,前記各バンクの状態を示す状態信号を出力することが可能な状態信号出力回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/06 550
G11C 17/00 636 B
, G06F 12/06 550 A
