特許
J-GLOBAL ID：200903062601402581
モールド型積層セラミック電子部品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358800
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158036
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、製造が容易で、しかも積層セラミック誘電体素子に内部応力や結晶異方性の発生が抑制され、亀裂等の機械的な欠陥がなく、優れた電気特性と耐久性を有し、さらに安全規格品として高度な信頼性を有するモ-ルド型積層セラミック電子部品を提供することを目的とするものである。【解決手段】 本発明のモ-ルド型積層セラミック電子部品は、無効層の厚みT1が30〜200μmであり、且つ無効層の外側に隣接するように形成された樹脂の厚みT2が100〜700μmの範囲内にあることを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
第1の複数のセラミック誘電体層の間にNi或いはNiを主成分とする合金より成る内部電極層を設けた有効層及び第2の複数のセラミック誘電体層より成る無効層を有した積層セラミック誘電体素子と、前記積層セラミック誘電体素子の両端部に設けられ、前記内部電極層と電気的に接合された一対の外部電極と、前記外部電極にそれぞれ接続された端子とを備え、前記積層セラミック誘電体素子及び外部電極が樹脂により埋め込まれたモールド型積層セラミック電子部品において、前記無効層の厚みT1が30〜200μmであり、且つ前記無効層の外側に隣接するように形成された樹脂の厚みT2が100〜700μmの範囲内にあることを特徴とするモールド型積層セラミック電子部品。
IPC (2件)：
H01G 4/30 301
, H01G 4/30
H01G 4/30 301 J
, H01G 4/30 301 A
, H01G 4/30 301 C
5E082AA02
, 5E082AB03
, 5E082BC33
, 5E082EE23
, 5E082FG01
, 5E082FG26
, 5E082GG10
, 5E082HH27
, 5E082HH47
, 5E082PP09
