特許
J-GLOBAL ID：200903062604114781
半導体装置の製造方法及び半導体基板の酸化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
後藤 洋介
, 池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-016968
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228457
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】トレンチを有する半導体装置の製造方法において、トレンチのコーナー部分に、他の部分よりも厚く、応力において小さい酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成されたトレンチを酸化する際、ジクロロエチレンを所定の重量%で含む酸素雰囲気中で、酸化することにより、トレンチのコーナー部分における厚さが他の部分の厚さよりも厚い酸化膜を形成することができ、これによって、絶縁破壊特性を改善した半導体装置を得ることができる。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
半導体領域にエッチングによりトレンチを形成し、当該トレンチ内に絶縁物を充填したSTI領域を有する半導体装置の製造方法において、ジクロロエチレン(DCE)を用意する工程と、前記トレンチ内を前記ジクロロエチレンによりハロゲン酸化し、当該ハロゲン酸化により前記トレンチの開口上端部に隣接する半導体領域のコーナー部の角度を、ハロゲン酸化される前に比較して丸める工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/76 L
, H01L21/316 S
5F032AA36
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032CA14
, 5F032CA17
, 5F032CA23
, 5F032DA04
, 5F032DA23
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F058BA01
, 5F058BA02
, 5F058BA06
, 5F058BC11
, 5F058BE04
, 5F058BF61
