特許
J-GLOBAL ID：200903068097108977
コ-ルドウォ-ル型枚葉式ランプ加熱炉
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208500
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはN2Oガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやN2Oガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】 加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板1を収容する反応チャンバー2の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ3を設け、さらに加熱用ランプ3の間において複数のガス導入孔22を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、前記半導体基板を収容する反応チャンバーの、前記半導体基板の上方において複数の加熱用ランプを設け、さらに前記加熱用ランプの間において複数のガス導入孔を形成し、このガス導入孔を通して前記反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とするコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, H01L 21/316 S
5F045AB31
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AC20
, 5F045DP03
, 5F045EF05
, 5F045EK12
, 5F058BC01
, 5F058BF29
, 5F058BF40
, 5F058BF52
, 5F058BF62
