特許

J-GLOBAL ID：200903062631213058

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 道林 亜希子 ,  宮田 豊 ,  川村 哲也 ,  筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211741
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064365
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜堆積後に、ゲート絶縁膜の堆積温度よりも高い温度で熱アニールを行なうことにより、半導体層の膜質及び半導体層/ゲート絶縁膜の界面特性を改善し、高性能・高信頼性を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】下地SiO2 膜12を堆積したガラス基板11上に非晶質シリコン半導体層を堆積した後、脱水素処理を行いレーザー結晶化にて多結晶シリコン層13とする。SiO2 からなる第1の絶縁膜層(ゲート絶縁膜)14を堆積し、600°C、2時間の熱アニールを行う。続いて、Taゲート電極15を形成した後、多結晶シリコン層13にP+イオンなどを注入してソース・ドレイン領域を形成する。SiO2 からなる第2の絶縁膜層(層間絶縁膜)16を堆積した後、多結晶シリコン層13に対して水素プラズマ処理を行い、コンタクトホールを開口した後、ソース・ドレイン電極17を形成する。

請求項（抜粋）：

ガラスからなる透光性基板上に非晶質シリコンからなる半導体層を形成し、前記半導体層をレーザーアニールすることにより多結晶シリコンからなる半導体層とし、前記多結晶シリコンからなる半導体層上にSiO2からなる第1の絶縁膜層を堆積により形成する工程とを少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記第1の絶縁膜層堆積後に、前記第1の絶縁膜層の堆積温度よりも高い温度で熱アニールを行い、前記第1の絶縁膜層をゲート絶縁膜として用いることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 29/78 627 F ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033930   出願人：富士ゼロックス株式会社