特許
J-GLOBAL ID：200903062634068024
シリコンウェハ洗浄用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川上 宣男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286999
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置、特に高集積化半導体装置の製造工程においても使用することのできる洗浄液を開発すること。【解決手段】 下記一般式(I)で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤の少なくとも1種と、二つ以上のホスホン酸基を持つ化合物及びアンモニアを含有せしめたことを特徴とするシリコンウェハ洗浄用組成物。【化1】(式中、R1はフルオロアルキル基を表わし、R2は水素原子又は低級アルキル基を表わし、Xは-CH2COO-又は-(CH2CH2O)n-を表わし、nは2〜10の整数を表わす)。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤の少なくとも1種と、二つ以上のホスホン酸基を持つ化合物及びアンモニアを含有せしめたことを特徴とするシリコンウェハ洗浄用組成物。【化1】(式中、R1はフルオロアルキル基を表わし、R2は水素原子又は低級アルキル基を表わし、Xは-CH2COO-又は-(CH2CH2O)n-を表わし、nは2〜10の整数を表わす)。
IPC (6件)：
C11D 10/02
, G03F 7/40
, H01L 21/304 341
, C11D 1:12
, C11D 3:36
, C11D 7:06
C11D 10/02
, G03F 7/40
, H01L 21/304 341 L
