特許
J-GLOBAL ID：200903062634936530
記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-009372
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108395
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 ライトディスターブおよびリードディスターブの問題を解決し信頼性が高められた記憶装置を提供する。【解決手段】 相変化メモリにデータを書込む際にステップS4で一旦データを読出す。続いてステップS5に進み読出データが“1”か“0”かが判断される。読出データが“0”であった場合にはステップS6に進み、メモリセルに対して“1”を書込むために電流の印加が行なわれる。一方、ステップS5において読出データが“1”であると判断された場合には、書込動作は行なわれずステップS10に進む。好ましくは、書込みデータが“0”の場合には、データ読出を行なわずにデータ“0”を書込む。高抵抗状態(“1”を保持している状態)への“1”の再書込を行なわないから、メモリセルの抵抗比が大きくとれるようになり、読出信号が大きくでき、読出アクセスタイムを高速にすることができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
熱を印加することにより、第1の論理値に対応する第1の抵抗値と第2の論理値に対応する前記第1の抵抗値よりも抵抗が大きい第2の抵抗値とに抵抗値が変化してデータを蓄積するメモリセルと、
前記メモリセルに熱を印加してデータを書込むための電流を出力する電流印加回路と、
前記メモリセルの抵抗値に対応するデータを読出す読出回路と、
前記第2の論理値を前記メモリセルに書込む場合には、前記読出回路により読出された読出データが前記第1の論理値であるときに前記電流印加回路に前記第2の論理値を書込む指示を行ない、前記読出データが前記第2の論理値であるときには前記電流印加回路に前記第2の論理値を書込む指示を行なわず、前記第1の論理値を前記メモリセルに書込む場合には、前記読出データの値にかかわらず前記電流印加回路に前記第1の論理値を書込む指示を行なう書込回路とを備える、記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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