特許

J-GLOBAL ID：200903062647064036

半導体メモリ

発明者： 阿部 浩久
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075387
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273382
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 スタンバイ状態での消費電流量を低減すると共に、必要なメモリアレイへの迅速なデータの読み出しが可能な半導体メモリを提供する。【解決手段】 本発明の半導体メモリは、1チップ上に複数のメモリアレイを搭載してなる半導体メモリであって、上記複数のメモリアレイに動作電圧を供給する複数の定電圧供給回路と、外部より入力される半スリープモードの設定コマンドに応じて、上記複数の定電圧供給回路の内、所定の定電圧供給回路を停止させると共に、外部より入力される該半スリープモードの解除コマンドに応じて、上記停止させた定電圧供給回路を起動させるコントロール回路とを備える。

請求項（抜粋）：

1チップ上に複数のメモリアレイを搭載してなる半導体メモリであって、上記複数のメモリアレイに動作電圧を供給する複数の定電圧供給回路と、外部より入力される半スリープモードの設定コマンドに応じて、上記複数の定電圧供給回路の内、所定の定電圧供給回路を停止させると共に、外部より入力される該半スリープモードの解除コマンドに応じて、上記停止させた定電圧供給回路を起動させるコントロール回路とを備えることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 5/14 ,  G11C 11/413

FI (3件)：

G11C 17/00 632 D ,  G11C 5/14 ,  G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-031457   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社