特許
J-GLOBAL ID：200903062659773644
セミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082376
公開番号（公開出願番号）：特開平7-272553
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 良好なシールド特性を有し,一条で1000m以上の長尺品の製造が可能であり,保護被覆層を効率良く形成でき,高周波伝送特性が安定であり,仕上外径が0.90mm以下の細径化が可能であり,端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法を提供する。【構成】 同軸ケーブル5は、中心導体1の外周に絶縁体2,外部導体3および保護被覆層4を順に設けてなる。前記絶縁体2は、第1層の低誘電率絶縁体2aと,該第1層の絶縁体よりも無電解めっきが容易な樹脂からなる第2層の絶縁体2bとからなる。前記外部導体3は、無電解めっきによるアンカー金属層3aと,電気めっきによる良導電性金属層3bとからなる。その良導電性金属層3bは、銅めっき層と,光沢銅めっき層と,ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっき層とからなる。
請求項（抜粋）：
中心導体の外周に絶縁体として,第1層の低誘電率絶縁体及び該第1層の絶縁体よりも無電解めっきが容易な樹脂からなる第2層の絶縁体を順次設け、この外周に外部導体として無電解めっきアンカー金属層及び電気めっき良導電性金属層を順次設けたことを特徴とするセミリジット同軸ケーブル
IPC (2件)：
H01B 11/18
, H01B 13/00 553
