特許

J-GLOBAL ID：200903062684484100

集積回路

発明者： 田邉 浩 ,  浅田 秀樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315863
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211167
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】パルスレーザの照射により形成される素子の不均一化を防ぎ、大面積なデバイスにおける構成素子の均一性の向上、デバイス動作を安定化をはかる。【構成】パルスレーザの照射工程を経て形成される集積回路を、1照射範囲よりも小さなブロックに分けて配置することで、レーザ照射周辺部に素子が配置されないようにする。

請求項（抜粋）：

パルスレーザの照射工程を経て形成される半導体素子からなる集積回路において、前記パルスレーザの1パルス照射範囲よりも小さい素子集積群から構成されることを特徴とする集積回路。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-042717
  
• 特開平2-181419
  
• アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269677   出願人：セイコーエプソン株式会社