特許
J-GLOBAL ID：200903062684657934
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185666
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019881
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】半導体レーザ装置から発するレーザ光の光量を抑制しつつ、VCSELを高速駆動な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置20は、少なくとも1つの半導体レーザ素子(VCSEL)1を搭載する金属ステム30と、金属ステム30に取り付けられ、金属ステム30との間に内部空間を形成するキャップ40とを有する。キャップ40には出射窓44が形成され、窓44には透過ガラス46と減光フィルター48の積層体が取り付けられている。このため、VCSEL1からの光の一部を透過窓44、46、48によって吸収される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの半導体レーザ素子を搭載するケース本体と、
前記ケース本体に取り付けられ、半導体レーザ素子からの光を外部へ出射するための出射窓を含むキャップとを有し、
前記出射窓には、前記半導体レーザ素子からの光の一部を吸収する光吸収部材が設けられている、半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F073AB16
, 5F073AB17
, 5F073EA29
, 5F073FA30
