特許
J-GLOBAL ID：200903062712053586
ウエハの洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283484
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ表面を酸化しながらその酸化膜を除去する洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着している金属汚染物質やパーティクルを除去する方法では十分な洗浄効果が得られなかった。また半導体ウエハにドーピングされている不純物の種類、そのドーピング量によって酸化速度が異なるため、ウエハ面内を均一に酸化して洗浄することは困難であった。【解決手段】 酸化性溶液12で半導体ウエハ11の表面を酸化させて酸化膜13を形成する第1工程と、酸化膜13を選択的にエッチングするエッチング液14によって、酸化膜13をエッチングするとともに付着物質21を除去する第2工程とを備えたウエハの洗浄方法であり、第1工程と第2工程とを繰り返し行ってもよい。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する洗浄方法であって、酸化性溶液で半導体ウエハ表面を酸化させて、該半導体ウエハ表面に酸化膜を形成する第1工程と、酸化膜を選択的にエッチングするエッチング液によって、前記第1工程で形成した酸化膜をエッチングして、該酸化膜とともに該半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する第2工程とを備えたことを特徴とするウエハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/306
H01L 21/304 341 M
, H01L 21/306 D
