化合物半導体気相エピタキシャル成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003759
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208423
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】ガス置換に十分な成長中断時間をもってしても、成長中断時に、異種の半導体接合界面に結晶欠陥起因の組成ゆらぎ(組成遷移層)を発生させない化合物半導体気相エピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】2層以上の異種の半導体層3、4からなる化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法であって、キャリアガスとして水素を使用し、かつ層間に成長を中断してガス切り替えを行う方法において、第1の半導体層3の成長後、第2の半導体層4を成長する前の成長中断中に流すキャリアガスとして、水素を従とし不活性ガスを主とするガスを使用する。

請求項（抜粋）：

2層以上の異種の半導体層からなる化合物半導体結晶を気相成長法によりエピタキシャル成長する方法であって、キャリアガスとして水素を使用し、かつ層間に成長を中断してガス切り替えを行う方法において、第1の半導体層の成長後、第2の半導体層を成長する前の成長中断中に流すキャリアガスとして、水素を従とし不活性ガスを主とするガスを使用することを特徴とする化合物半導体気相エピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 C

Fターム (24件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE47 , 4G077DB08 , 4G077DB12 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA06 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB11 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AE23 , 5F045AF05 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (1件)

GaN系化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-185864 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る