特許

J-GLOBAL ID：200903013199934686

GaN系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 弓 削 省 三 ,  菅 原 秀 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185864
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075019
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 高品質で結晶性にすぐれたInGaN発光層を形成し得る、高品質GaN系化合物半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 (Ga1-x N/Alx )1-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)系結晶材料を気相成長させるに際し,同一層およびヘテロ層のいずれにおいても、形成する層の成長を中断する成長中断工程の少なくとも一つの成長中断工程における雰囲気として、V族ガスを含む雰囲気であり、かつ、V族以外のキャリアガスとして不活性ガスを用いることによって、前記成長中断工程において露出している層の昇華を防止するようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(Ga1-x Alx )1-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)系結晶材料を気相成長させるに際し,同一層およびヘテロ層のいずれにおいても、形成する層の成長を中断する成長中断工程の少なくとも一つの成長中断工程における雰囲気として、V族ガスを含む雰囲気であり、かつ、V族以外のキャリアガスとして不活性ガスを用いることによって、前記成長中断工程において露出している層の分解を防止するようにしたことを特徴とする、GaN系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-189337   出願人：住友化学工業株式会社
• p型窒化ガリウムの成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-042125   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体単結晶層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-022085   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066254   出願人：住友化学工業株式会社