特許
J-GLOBAL ID：200903062740151534
窒化物半導体レーザ装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032186
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232257
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 発振モードが高次モードであっても電気的及び光学的に安定したレーザ光を発振できるようにする。【解決手段】 サファイアからなる基板11上には、n型コンタクト層12よりも屈折率が小さくて活性層のエネルギーギャップよりも0.4eV以上大きく電子を活性層に閉じ込めるためのn型Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Nからなる第1のn型クラッド層13と、活性層において生成される生成光の一部を取り込み、取り込んだ生成光を束縛して発振モードの変動を抑制するn型Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>Nからなる第1のモード変動抑制層14と、第1のn型クラッド層13と同等のn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x </SB>Nからなる第2のn型クラッド層15とが順次形成されている。ここで、各n型クラッド層13,15のAl混晶比xとモード変動抑制層14のAl混晶比yとの関係は0≦y<xを満たしている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1導電型の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成された第1導電型の窒化物半導体からなり、前記第1のクラッド層よりも屈折率が大きいモード変動抑制層と、前記モード変動抑制層の上に形成された第1導電型の窒化物半導体からなり、前記第1のクラッド層とほぼ同等の屈折率を持つ第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第2導電型の窒化物半導体からなる第3のクラッド層とを備えていることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 C
5F041AA05
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041FF16
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073DA05
, 5F073EA18
