半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206937
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294529
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】本発明は、基本横モードで連続発振することができ、光ディスクシステム等の光源に適した非点収差のない良質の出射ビームの実現を図る。【解決手段】サファイア基板10上のn型GaNバッファ層11上にn型GaAlNクラッド層13、MQWの活性層16、及びp型GaAlNクラッド層19を形成してなり、クラッド層19にストライプ状のリッジを有するダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上のクラッド層19のリッジ部以外の領域に形成された光閉込め層とを備え、光閉込め層の屈折率をp型GaAlNクラッド層の屈折率よりも大きくすることにより、屈折率分布による導波構造を形成して横モードを制御するので、しきい電流密度を低減でき、かつ基本横モードで連続発振できるInGaAlBN系の半導体レーザ及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

窒素を含む III-V族化合物半導体からなる半導体レーザであって、基板と、基板上に形成された第1導電型クラッド層と、この第1導電型クラッド層上に形成された少なくとも活性層を含むコア領域と、このコア領域上に形成され、ストライプ状のリッジを有する第2導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層、前記コア領域及び前記第2導電型クラッド層からなるダブルヘテロ構造と、前記第2導電型クラッド層上に前記リッジの側部に沿って選択的に形成された光閉込め層と、この光閉込め層上及び前記第2導電型クラッド層のリッジ上に形成された第2導電型コンタクト層と、この第2導電型コンタクト層上に形成された第1電極と、前記基板における前記第1導電型クラッド層とは異なる領域に形成された第2電極とを備え、前記光閉込め層は、窒素を含む III-V族化合物半導体からなり、該光閉込め層の屈折率が前記第2導電型クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233178 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-243681 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-288388

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