特許
J-GLOBAL ID：200903062775709244

半導体素子の製造方法およびカメラモジュールの製造方法

発明者：
瀬川 雅雄

瀬川 雅雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055276
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244118
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】生産性の向上とコストの低減を図りつつ、製造物の小型化を実現することのできる半導体素子の製造方法およびカメラモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ状態で複数の画像センサ部を製造する工程と、この工程で製造した複数の画像センサ部が搭載されるウェハ表面に保護シートを被覆する工程と、この工程で保護シートを被覆したウェハ表面と反対側のウェハ表面からダイシングを行って前記複数の画像センサ部を個々の画像センサチップに分断する工程と、この工程で分断された画像センサチップのうちのいずれかを取り出し、この取り出した画像センサチップを配線基板に接合する工程と、前記配線基板に外部から入射する光を透過する透光性部材を接着する工程と、この工程で前記配線基板に接着した透光性部材を基準としてレンズを収納して成るレンズ収納部材を前記配線基板に実装する工程とを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェハ状態で複数の素子部を製造する工程と、 この工程で製造した複数の素子部が搭載される側のウェハ表面に保護シートを被覆する工程と、 この工程で保護シートを被覆したウェハ表面と反対側のウェハ表面からダイシングを行って前記複数の素子部を個々の半導体素子に分断する工程と を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L27/14 ,  H01L21/301 ,  H04N5/335
FI (4件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 F
Fターム (25件)：
4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA01 ,  4M118CA31 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA18 ,  4M118EA20 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA27 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA32 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024EX23 ,  5C024EX24 ,  5C024EX25
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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