特許

J-GLOBAL ID：200903062784550940

エピタキシャル成長用基板およびその製造方法

発明者： 浅井 圭一郎 ,  柴田 智彦 ,  中村 幸則
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210598
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】転位密度が低減されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x>0,y,z≧0)膜を有するエピタキシャル成長用基板およびそのようなエピタキシャル成長用基板を提供する。【解決手段】基材としてのサファイア基板本体21の表面にストライプ状の溝24を形成した後、サファイア基板本体をCVD室25に導入し、AlxGayInzN(x+y+z=1,x>0,y,z≧0)膜26を溝24を埋めるようにして横方向成長によりエピタキシャル成長させる。その結果、AlxGayInzN膜26はストライプ状の溝24におけの凹部上及び凸部上の少なくとも一方上に低転位密度の領域を有するようになる。

請求項（抜粋）：

表面にストライプ状の凹凸構造を有するサファイア、SiC、GaNなどの基板本体と、この基板本体の前記ストライプ状の凹凸構造を埋めるように選択横方向成長によりエピタキシャル成長され、前記ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なくとも一方に形成された転位密度の小さな領域を有するAlxGayInzN(x+y+z=1,x>0,y,z≧0)膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323