固体電子撮像素子および固体電子撮像装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：牛久健司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399615
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198945
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【目的】フォトダイオード2の受光面積を小さくしても,得られる画像の明るさを維持する。【構成】フォトダイオード2の蓄積容量の3倍の容量を蓄積できる電位井戸が形成されるように,フォトダイオード2の受光面積,垂直転送路4の転送電極の面積および垂直転送路4に与えられる転送パルスの大きさが決定される。フォトダイオード2への信号電荷の蓄積が複数回繰り返され((A),(C),(E)),その都度垂直転送路4にシフトされる((B),(D),(F))。フォトダイオード2の蓄積容量が少なくとも(受光面積が小さくとも),フォトダイオード2の蓄積容量を実質的に大きくできる。得られる画像の明るさも明るくなる。

請求項（抜粋）：

入射光量に応じた電荷量の信号電荷を蓄積する多数の光電変換素子,上記光電変換素子に隣接し,かつ転送電極に転送パルスが与えられることにより電位井戸が形成され,形成された電位井戸により上記信号電荷を転送する転送路,およびシフト・パルスが与えられることにより上記光電変換素子に蓄積された信号電荷を上記転送路にシフトする転送ゲートを備え,上記光電変換素子の受光面積が上記転送電極の面積未満である,固体電子撮像素子。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H01L 27/148 , H04N 1/028

FI (3件)：

H04N 5/335 F , H04N 1/028 Z , H01L 27/14 B

Fターム (27件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118CA03 , 4M118DB01 , 4M118DB03 , 4M118DB07 , 4M118DB09 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118FA17 , 5C024CX47 , 5C024CX55 , 5C024GX03 , 5C024GY04 , 5C024HX29 , 5C024HX50 , 5C051AA01 , 5C051BA03 , 5C051DA02 , 5C051DB01 , 5C051DB04 , 5C051DB07 , 5C051DC02 , 5C051DC03 , 5C051DC07 , 5C051DE03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-097179
特開平4-122178
撮像方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-117143 出願人：松下電器産業株式会社

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