特許

J-GLOBAL ID：200903062789546976

欠陥検査装置

発明者： 冨田 幸治 ,  前嶋 宗郎 ,  児玉 佳孝 ,  小室 仁 ,  松井 繁 ,  武田 一男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336865
公開番号（公開出願番号）：特開平11-237225
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体試料の欠陥解析に好適な欠陥検査装置を提供することを目的とする。【解決手段】被検体に光を照射することによって得られる該検体からの光情報に基づいて、前記検体の表面及び/又は検体に内在する欠陥を検出する欠陥検査装置において、前記光情報に基づいて前記欠陥の存在する深さ、及び前記欠陥の分布を検出する検出手段と、欠陥の存在する深さを設定する設定手段と、前記検出手段で得られた欠陥の分布を表示する手段を備え、該表示手段は前記設定手段によって設定された深さに相当する欠陥の分布を表示する。

請求項（抜粋）：

被検体に光を照射することによって得られる該検体からの光情報に基づいて、前記検体の表面及び/又は検体に内在する欠陥を検出する欠陥検査装置において、前記光情報に基づいて前記欠陥の存在する深さ、及び前記欠陥の分布を検出する検出手段と、欠陥の存在する深さを設定する設定手段と、前記検出手段で得られた欠陥の情報を表示する手段を備え、該表示手段は前記設定手段によって設定された深さに相当する欠陥の情報を表示することを特徴とする欠陥検査装置。

IPC (3件)：

G01B 11/30 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01B 11/30 D ,  H01L 21/66 N ,  G01N 21/88 645 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-024541
  
• プロセス異常監視方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-002736   出願人：株式会社日立製作所
• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-080200   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 半導体ウェハの不良解析装置及び不良解析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-101181   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 半導体基板表面欠陥の検査方法及びその自動検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-023248   出願人：住友シチックス株式会社